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|---|---|---|---|---|
MTY100N10E | TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffecttransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforh | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | |
MTY100N10E | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | |
MTY100N10E | Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET123A,100VN-ChannelEnhancement-ModeTO264Package | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET123A,100VN??hannelEnhancement??odeTO264Package | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
詳細參數
- 型號：
MTY100N10E
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
05+ |
TO-3PL |
500 |
原裝進口 |
詢價 | ||
MOTOROLA |
15+ |
TO-264 |
11560 |
全新原裝,現貨庫存,長期供應 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
TP-220 |
260 |
詢價 | |||
ON |
23+ |
TO-264 |
6893 |
詢價 | |||
ON |
24+ |
TO-264 |
6000 |
進口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價 | ||
ON進口原裝 |
25+23+ |
TO-3P |
55314 |
絕對原裝正品現貨,全新深圳原裝進口現貨 |
詢價 | ||
ON進口原裝 |
24+ |
TO-3P |
65200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經驗原裝進口正品做服務做口碑有支持 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
TO-264 |
50000 |
全新原裝正品現貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
原廠渠道,現貨配單 |
詢價 |
