首頁>MUN2111T1G>芯片詳情

MUN2111T1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 ONSEMI/安森美半導體

MUN2111T1G參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MUN2111T1G品牌：ON/安森美

專業(yè)配單原裝正品假一罰十

MUN2111T1G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商ON/安森美/onsemi生產封裝23+/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MUN2111T1G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    MUN2111T1G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內容頁數：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    112.25 kb

  • 資料說明：

    Bias Resistor Transistors

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    MUN2111T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    35 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SC-59

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯皇電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生

  • 手機：

    18122218584

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23603869

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道賽格科技園4棟東座11樓D05

相近型號