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MUR20010CTR	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20010CTR	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	Super Fast Recovery Diode, 200A Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR20010CTR	文件：405.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR20010CTR	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20010CTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：雙塔架類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
MURF20010	文件：342.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF20010R	文件：342.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：730.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：360.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT20010R	文件：730.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010R	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT20010R	文件：360.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MV20010	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PD20010-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
PD20010S-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
PD20010STR-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
PD20010TR-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
PNE20010ER	文件：251.25 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20010ER-Q	文件：254.17 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinasmallandflatleadSOD123WSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?ReversevoltageVR≤200V ?ForwardcurrentIF≤1A ?Hyp	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MUR20010CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列
包裝：
散裝
二極管配置：
1 對共陽極
二極管類型：
肖特基
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：
100A
速度：
快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
工作溫度 - 結(jié)：
-55°C ~ 150°C
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
雙塔架
供應(yīng)商器件封裝：
雙塔架
描述：
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市博浩通科技有限公司	MUR20010CTR	GeneSiCSemiconductor	23+	DIODEMODULE100V200A	1715	專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	MUR20010CTR	GeneSiC	1935+	N/A	55	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	MUR20010CTR	GENESIC	1809+	雙塔架	96	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	MUR20010CTR	GeneSiC	22+	NA	55	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MUR20010CTR	GeneSiC Semiconductor	22+	Twin Tower	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MUR20010CTR	GeneSiC Semiconductor	24+	雙塔架	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
浙江永芯科技有限公司	MUR200120CT	IXFN	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	5000	原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊可控硅晶閘管熔斷器質(zhì)保	詢價
深圳龐田科技有限公司	MUR200120CT	IXFN	2023+	module	48000	AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	MUR20020	整流	22+	原廠原封	600	原裝現(xiàn)貨庫存.價格優(yōu)勢	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MUR20020	整流	1950+		980	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價

更多MUR20010CTR供應(yīng)商更新時間2024-10-24 16:06:00

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