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MW6S010GNR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MW6S010GNR1
廠商型號

MW6S010GNR1

參數(shù)屬性

MW6S010GNR1 封裝/外殼為TO-270BA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

TO-270BA

文件大小

802.16 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-15 16:41:00

MW6S010GNR1規(guī)格書詳情

450-1500 MHz, 10 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.

? Typical Two-Tone Performance at 960 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 125 mA, Pout = 10 Watts PEP

Power Gain — 18 dB

Drain Efficiency — 32

IMD — -37 dBc

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 960 MHz, 10 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? On-Chip RF Feedback for Broadband Stability

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? 225°C Capable Plastic Package

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MW6S010GNR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    TO-270BA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270-2 鷗翼型

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
22+
TO2702 GULL
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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FSL
SMD
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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1680
FREESCALE專營品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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NXP(恩智浦)
23+
TO-270-2-GULL
8145
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TO-270
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