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MWI60-12T6K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MWI60-12T6K |
| 參數(shù)屬性 | MWI60-12T6K 封裝/外殼為E1；包裝為盒；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1 |
| 功能描述 | Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
| 封裝外殼 | E1 |
| 文件大小 |
175.8 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-9 15:00:00 |
MWI60-12T6K規(guī)格書詳情
MWI60-12T6K屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MWI60-12T6K晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MWI60-12T6K
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
盒
- IGBT 類型：
溝道
- 配置：
三相反相器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，35A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
E1
- 供應(yīng)商器件封裝：
E1
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2022+ |
E1 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
2173 |
公司大量全新正品 隨時可以發(fā)貨 |
詢價 | |||
IXYS |
24+ |
E1 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
MODIGBTSIXPACKRBSOA1200V |
1690 |
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量 |
詢價 | ||
IXYS |
2023+ |
MODULE |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS |
19+/20+ |
E1 |
1000 |
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
MODULE |
17348 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
E2 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
