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MWI75-12T8T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

MWI75-12T8T
廠商型號

MWI75-12T8T

參數(shù)屬性

MWI75-12T8T 封裝/外殼為E3;包裝為盒;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3

功能描述

Six-Pack Trench IGBT
IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3

封裝外殼

E3

文件大小

338.43 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-31 16:00:00

MWI75-12T8T規(guī)格書詳情

MWI75-12T8T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MWI75-12T8T晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MWI75-12T8T

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    E3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    E3

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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