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MX0912B251Y中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MX0912B251Y
廠商型號(hào)

MX0912B251Y

參數(shù)屬性

MX0912B251Y 封裝/外殼為SOT-439A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

92.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 20:00:00

MX0912B251Y規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT439A metal ceramic flange package, with base connected to flange. It is mounted in common base configuration, and specified in class C.

FEATURES

? Interdigitated structure; high emitter efficiency

? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime

? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance

? Input and output matching cell allows an easier design of circuits.

APPLICATIONS

Intended for use in common base class C broadband pulse power amplifier from 960 to 1215 MHz for TACAN application.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MX0912B251Y,114

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.215GHz

  • 增益:

    7.4dB

  • 功率 - 最大值:

    690W

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    15A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-439A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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