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N08L63W2AB27I集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
N08L63W2AB27I |
| 參數屬性 | N08L63W2AB27I 封裝/外殼為48-LFBGA；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48BGA |
| 功能描述 | 8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K ? 16 bit |
| 封裝外殼 | 48-LFBGA |
| 文件大小 |
192.62 Kbytes |
| 頁面數量 |
10 頁 |
| 生產廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-10 18:41:00 |
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N08L63W2AB27I屬于集成電路（IC）的存儲器。由安森美半導體公司制造生產的N08L63W2AB27I存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產品屬性
更多- 產品編號：
N08L63W2AB27I
- 制造商：
onsemi
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
4Mb（256K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
70ns
- 電壓 - 供電：
2.3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-LFBGA
- 供應商器件封裝：
48-BGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48BGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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