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N64T1630C1BZ-70I中文資料NANOAMP數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

N64T1630C1BZ-70I
廠商型號

N64T1630C1BZ-70I

功能描述

64Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS PSRAM 4M ? 16 Bits

文件大小

348.47 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 NanoAmp Solutions, Inc.
企業(yè)簡稱

NANOAMP

中文名稱

NanoAmp Solutions, Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-3 16:42:00

N64T1630C1BZ-70I規(guī)格書詳情

Overview

The N64T1630C1B is an integrated memory

device containing a 64 Mbit Pseudo Static Random

Access Memory using a self-refresh DRAM array

organized as 4,194,304 words by 16 bits. It is

designed to be compatible in operation and

interface to standard 6T SRAMS. The device is

designed for low standby and operating current

and includes a power-down feature to

automatically enter standby mode.

Features

? Dual voltage rails for optimum power & performance

Vcc - 2.7V - 3.3V

Vccq - 2.7V to 3.3V

? Fast Cycle Times

TACC < 70 nS (60ns future)

TPACC < 25 nS

? Very low standby current

ISB < 170μA

? Very low operating current

Icc < 25mA

? PASR (Partial Array Self Refresh)

? TCR (Temperature Compensated Refresh)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    N64T1630C1BZ-70I

  • 制造商:

    NANOAMP

  • 制造商全稱:

    NANOAMP

  • 功能描述:

    64Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS PSRAM 4M 】 16 Bits

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
AMPHENOL/安費諾
2420+
/
273494
一級代理,原裝正品!
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5
全新原裝 貨期兩周
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3000
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2022+
TO-263
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
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20+
TO-263
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現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝
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2021+
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原廠原包裝
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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1997
79
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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