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NAND02GW3B

512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

FEATURESSUMMARY ■HIGHDENSITYNANDFLASHMEMORIES –Upto8Gbitmemoryarray –Upto64Mbitsparearea –Costeffectivesolutionsformassstorage applications ■NANDINTERFACE –x8orx16buswidth –MultiplexedAddress/Data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■SUPPLYVOLTAG

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NAND02GW3B

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND02GW3B

USB 2.0 high-speed Flash drive controller

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NAND02GW3B2AN1

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND02GW3B2AN6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND02GW3B2AZA1

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND02GW3B2AZA6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

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1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

NAND02GW3B2AZB6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

NAND02GW3B2BN1

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    NAND02GW3B

  • 功能描述:

    閃存 NAND & S.MEDIA FLASH

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    1 bit

  • 存儲類型:

    Flash

  • 存儲容量:

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu):

    256 K x 8

  • 接口類型:

    SPI

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.3 V

  • 最大工作電流:

    15 mA

  • 工作溫度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NAND02GW3B供應(yīng)商 更新時間2021-9-16 14:01:00