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NAND02GW3B2C

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND02GW3B2CN1

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND02GW3B2CN1E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND02GW3B2CN1E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2CN1F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND02GW3B2CN1F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2CN6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND02GW3B2CN6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND02GW3B2CN6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2CN6F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    NAND02GW3B2C

  • 功能描述:

    閃存 NAND & S.MEDIA FLASH

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:

    1 bit

  • 存儲(chǔ)類(lèi)型:

    Flash

  • 存儲(chǔ)容量:

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu):

    256 K x 8

  • 接口類(lèi)型:

    SPI

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最小:

    2.3 V

  • 最大工作電流:

    15 mA

  • 工作溫度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NUMONY
TSSOP48
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更多NAND02GW3B2C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 16:20:00