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NAND08GW3B2AN6F

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND08GW3B2AN6F

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

NUMONYX

numonyx

NAND08GW3B2AN6E

4Gbit,8Gbit,2112Byte/1056WordPage3V,NANDFlashMemories

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NAND08GW3B2AN6E

4Gbit,8Gbit,2112Byte/1056WordPage3V,NANDFlashMemories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NAND08GW3B2AN6F

  • 功能描述：

    閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度：

    1 bit

  • 存儲類型：

    Flash

  • 存儲容量：

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu)：

    256 K x 8

  • 接口類型：

    SPI

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.3 V

  • 最大工作電流：

    15 mA

  • 工作溫度：

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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特價(jià)全新原裝公司現(xiàn)貨
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更多NAND08GW3B2AN6F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 16:41:00

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