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NAND02GW3B2DZA6E 集成電路（IC）存儲器 Micron Technology Inc.

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  • 廠家型號：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    63-TFBGA

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-12 14:32:00

  • 詳細信息
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原廠料號：NAND02GW3B2DZA6E品牌：Micron Technology Inc.

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NAND02GW3B2DZA6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝63-TFBGA的NAND02GW3B2DZA6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    NUMONYX詳情

  • 廠商全稱：

    numonyx

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    69 頁

  • 文件大小：

    1810.88 kb

  • 資料說明：

    2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    2Gb（256M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    63-VFBGA（9.5x12）

  • 描述：

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機：

    13530520535

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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