NAND512R3A2CZA6E_集成電路(IC) 存儲(chǔ)器-美光科技

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原廠(chǎng)料號(hào):NAND512R3A2CZA6E品牌:Micron Technology Inc.

資料說(shuō)明:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

NAND512R3A2CZA6E是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商ELPIDA/美光科技生產(chǎn)封裝63-TFBGA的NAND512R3A2CZA6E存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性?xún)煞N,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線(xiàn)、SPI、UFS、Xccela 總線(xiàn)和 1-線(xiàn)。

  • 芯片型號(hào):

    nand512r3a2cza6e

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠(chǎng)下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ELPIDA【美光科技】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    Elpida Memory

  • 中文名稱(chēng):

    美光科技股份有限公司

  • 資料說(shuō)明:

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NAND512R3A2CZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    50ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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