首頁>熱銷型號第6952頁>NAND512W3A2CZA6E>詳情

NAND512W3A2CZA6E_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NAND512W3A2CZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    63-TFBGA

  • 包裝：

    管件

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-2-5 10:12:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NAND512W3A2CZA6E品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

NAND512W3A2CZA6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產封裝63-TFBGA的NAND512W3A2CZA6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    nand512w3a2cza6e

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    NAND512W3A2CZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    512Mb（64M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    50ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    63-VFBGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
24+
BGA
23000
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
Micron
24+
63-TFBGA
3886
專注原裝正品代理分銷,終端客戶可支持BOM表配單
 詢價
ST
2016+
BGA
6528
只做進口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
 詢價
ST
2020+
O-NEWB
79
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ST
23+
VFBGA-55
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
ST
2020+
BGA63
350000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
ST
6000
面議
19
DIP/SMD
 詢價
ST
23+
BGA
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
Numonyx/STMi
23+
63-VFBGA
65480
詢價
Micron Technology Inc.
21+
78-FBGA
5280
進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經營
 詢價

相近型號