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NAND512W3A2BZA6E 集成電路(IC)存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導體
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原廠料號:NAND512W3A2BZA6E品牌:ST(意法)
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NAND512W3A2BZA6E是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ST(意法)/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝63-VFBGA的NAND512W3A2BZA6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NAND512W3A2BZA6E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲容量:
512Mb(64M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
50ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-VFBGA
- 供應商器件封裝:
63-VFBGA(8.5x15)
- 描述:
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
供應商
- 企業(yè):
深圳市萬佳誠業(yè)科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
謝小姐 蘇先生
- 手機:
13411991221
- 詢價:
- 電話:
13411991221/13750433385
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1002號賽格廣場5904A
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