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NCE2013J

Marking：NCE2013J；Package：DFN2X2-6L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE2013Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=13A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多NCE2013J供應(yīng)商 更新時間2025-2-8 15:48:00

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