NCE20P10J中文資料無(wú)錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
NCE20P10J |
| 功能描述 | NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | DFN2X2-6L |
| 文件大小 |
259.45 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
NCEPOWER【無(wú)錫新潔能股份】 |
| 中文名稱(chēng) | 無(wú)錫新潔能股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 10:34:00 |
| 人工找貨 | NCE20P10J價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
相關(guān)芯片規(guī)格書(shū)
更多NCE20P10J規(guī)格書(shū)詳情
Description
The NCE20P10J uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages .This device is suitable for use as a load switching
application and a wide variety of other applications.
General Features
● VDS = -20V,ID = -10A
RDS(ON) < 32m? @ VGS=-2.5V
RDS(ON) < 25m? @ VGS=-4.5V
● Advanced trench MOSFET process technology
● Ultra low on-resistance with low gate charge
Application
● PWM applications
● Load switch
● Battery charge in cellular handset
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCE/新潔能 |
23+ |
DFN2X2-6L |
360000 |
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到 |
詢(xún)價(jià) | ||
NCE/新潔能 |
21+ |
DFN2*2 |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) | ||
NCE/新潔能 |
24+ |
DFN3.3x3.3EP |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) | |||
NCE |
23+ |
DFN3X3-8L |
5000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢(xún)價(jià) | ||
NCE/新潔能 |
23+ |
DFN3.3X3.3-8L |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
NCE/新潔能 |
22+ |
DFN3X3-8L |
5000 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
NCE/新潔能 |
2022+ |
DFN33 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
NCE/新潔能 |
23+ |
DFN3.3X3.3-8L |
21597 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢(xún)價(jià) | ||
NCE |
23+ |
- |
5000 |
華南總代 |
詢(xún)價(jià) |
