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NCE30P06J

Marking：NCE30P06J；Package：DFN2X2-6L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-6.5A RDS(ON

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多NCE30P06J供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 15:05:00

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