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NCE30P55L中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NCE30P55L
廠商型號(hào)

NCE30P55L

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

NCE30P55L

封裝外殼

TO-251S

文件大小

319.69 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 20:00:00

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NCE30P55L規(guī)格書詳情

Description

The NCE30P55L uses advanced trench technology and design

to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is

well suited for high current load applications.

General Features

● VDS =-30V,ID =-55A

RDS(ON) <8.5m? @ VGS=-10V

RDS(ON) <19m? @ VGS=-4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

● Pb free terminal plating

● RoHS compliant

● Halogen free

Application

● High side switch for full bridge converter

● DC/DC converter for LCD display

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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