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NCE60PD05S中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE60PD05S
廠商型號

NCE60PD05S

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

NCE60PD05S

封裝外殼

SOP-8

文件大小

365 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-20 22:59:00

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NCE60PD05S規(guī)格書詳情

Description

The NCE60PD05S uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● VDS =-60V,ID =-5A

RDS(ON) <50m? @ VGS=-10V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● DC-DC Converter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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新結(jié)能全線供應(yīng),支持終端生產(chǎn)
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