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NCE82H160D

Marking:NCE82H160D;Package:TO-263-2L;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE82H160Dusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=82V,ID=160A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE82H160

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE82H160usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=82V,ID=160A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多NCE82H160D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 9:00:00