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NCE9926	文件：379.49 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE9926	文件：983.94 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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SDM9926	文件：984.02 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDM9926	文件：571.14 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FETURES ●SurfaceMountPackage. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDM9926A	文件：351.47 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SurfaceMountPackage. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
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SFS9926	文件：1.05709 Mbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
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SI9926BDY	文件：182.97 Kbytes Page：3 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectrical characteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuit modelisextractedandoptimizedoverthe?55to125°C temperaturerangesunderthepulsed0to5Vgatedrive.The saturatedoutputimpedanceisbest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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更多NCE9926供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 17:05:00

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