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NCP81075DR2G_集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：NCP81075DR2G品牌：onsemi

資料說明：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

NCP81075DR2G是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的NCP81075DR2G柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號：

    ncp81075dr2g

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NCP81075DR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置：

    高壓側(cè)或低壓側(cè)

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    8.5V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.7V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    4A，4A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    8ns，7ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 140°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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