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NCP81075DR2G

High Performance Dual MOSFET Gate Driver

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCP81075DR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NCP81075DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置:

    高壓側(cè)或低壓側(cè)

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    8.5V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.7V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    4A,4A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    8ns,7ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 140°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
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標(biāo)準(zhǔn)
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更多NCP81075DR2G供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 16:03:00