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NCV5183DR2G 集成電路(IC)柵極驅(qū)動器 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NCV5183DR2G參考圖片

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  • 廠家型號:

    NCV5183DR2G

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量:

    8000

  • 產(chǎn)品封裝:

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號:

    24+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-27 15:08:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號:NCV5183DR2G品牌:ON(安森美)

原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品

NCV5183DR2G是集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)的NCV5183DR2G柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號:

    NCV5183DR2G

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    15 頁

  • 文件大?。?/span>

    344.57 kb

  • 資料說明:

    High Voltage High Current High and Low Side Driver

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NCV5183DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    9V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.2V,2.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    4.3A,4.3A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    12ns,12ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市智連鑫科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    張小姐

  • 手機(jī):

    13357276588

  • 詢價:
  • 電話:

    13357276588

  • 地址:

    深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生村新圍4巷7號一樓