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NCV57090DDWR2G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NCV57090DDWR2G
廠(chǎng)商型號(hào)

NCV57090DDWR2G

功能描述

Isolated High Current IGBT/MOSFET Gate Driver

文件大小

1.97998 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 18:39:00

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ON
20+
TO263-5
19570
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
詢(xún)價(jià)
ON
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3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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ON(安森美)
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正納10年以上分銷(xiāo)經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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