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NDSH30120CDN

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,30A,1200V,D3,TO-247-3L

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

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安森美半導體安森美半導體公司

NRTS30120MFS

SchottkyBarrierRectifierTrench-based,HighPerformance

ThisTrenchSchottkyrectifierishighperformancedeviceinSO?8 FLpackage.Thelowerforwardvoltage,lessleakagecurrent,and smalljunctioncapacitancearesuitabletohighswitchingfrequency highdensityDCtoDCconversionapplication.Offeringhigher avalancheenergycapabilityforO

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NRVTS30120MFS

SchottkyBarrierRectifierTrench-based,HighPerformance

Features ?LowerForwardVoltageDrop ?LessLeakageCurrentinHighTemperature ?SmallJunctionCapacitanceforHighSwitchingFrequency ?HigherAvalancheEnergyCapability ?175°COperatingJunctionTemperature ?GoodAlternativeSolutionofSMCandDPAKPackage ?SmallFootprint?Land

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SuperBrightLEDIndicatorSuperPurple,3mm

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VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier

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更多NDCTR30120A供應商 更新時間2025-2-5 10:22:00

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