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NDD01N60-1G_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Trays中科航電

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  • 廠家型號(hào)：

    NDD01N60-1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBsemi/臺(tái)灣微碧

  • 庫存數(shù)量：

    399000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-251

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-6 15:37:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NDD01N60-1G品牌：VBsemi/臺(tái)灣微碧

集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)

  • 芯片型號(hào)：

    NDD01N60-1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    1082.23 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NDD01N60-1G

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 功能描述：

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Trays

  • 功能描述：

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Rail/Tube

  • 功能描述：

    MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 600V, 1.5A, TO-251-3, Transistor

  • Polarity：

    N Channel, Continuous Dr

  • Polarity：

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id：

    1.5A, Drain Source Voltage

  • Vds：

    600V, On Resistance

  • Rds(on)：

    8ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    10V, Threshold Voltage

  • Vgs：

    3.3V, No. of

  • Pins：

    3 , RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林翔

  • 手機(jī)：

    18138867084

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83229017/4006767582

  • 傳真：

    0755-83229017

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康二棟521室

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