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NDD01N60-1G

N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDD01N60-1G

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

NDD01N60-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    NDD01N60-1G

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Trays

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, 600V, 1.5A, TO-251-3, Transistor

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Dr

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id:

    1.5A, Drain Source Voltage

  • Vds:

    600V, On Resistance

  • Rds(on):

    8ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V, Threshold Voltage

  • Vgs:

    3.3V, No. of

  • Pins:

    3 , RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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TO-251
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原裝正品,支持實(shí)單
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更多NDD01N60-1G供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-24 10:20:00