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NDD02N60ZT4G_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R拓億芯1部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NDD02N60ZT4G
- 功能描述:
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市拓億芯電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
劉先生
- 手機:
13510175077
- 詢價:
- 電話:
0755-82777855/0755-82702619
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興西路華康大廈2棟603室
相近型號
- NDD02N60Z-1
- NDD03N50Z-1
- NDD02N60Z
- NDD03N50Z1G
- NDD03N50Z-1G
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- NDD02N40-1G
- NDD03N50ZT4G
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- NDD04N50Z-1
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- NDD04N50Z1G
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- NDD04N50Z-1G
- NDCH1H1R4CY