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NDD03N50Z-1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NDD03N50Z-1G
廠商型號

NDD03N50Z-1G

功能描述

N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 

文件大小

124.45 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 22:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NDD03N50Z-1G

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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