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NDD03N60Z-1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NDD03N60Z-1G
廠商型號

NDD03N60Z-1G

功能描述

N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 

文件大小

167.82 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-26 17:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NDD03N60Z-1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PTIF
P
9999999999
10
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
詢價
ON
TO-251
893993
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三年內(nèi)
1983
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ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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ON/安森美
2022+
TO-251
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
詢價
ON/安森美
11+
TO-251
580
原裝現(xiàn)貨
詢價