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NDD04N50Z-1_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK創(chuàng)新跡商城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NDD04N50Z-1
- 功能描述:
MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊小姐
- 手機:
13430590551
- 詢價:
- 電話:
13430590551
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D
相近型號
- NDD04N602ZT4G
- NDD03N80Z-1G
- NDD04N60Z
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- NDD04N60Z-1
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