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NDD04N50Z-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NDD04N50Z-1G

N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDD04N50Z-1G

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NDD04N50Z-1

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠代理 終端免費提供樣品
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進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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更多NDD04N50Z-1供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 14:02:00