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NDD60N900U1-1G

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDD60N900U1-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多NDD60N900U1-1G供應(yīng)商 更新時間2025-2-25 15:51:00