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NDF10N60ZH

N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.75 Ohm

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60ZH

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60ZH

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

NDP10N60Z

N-ChannelPowerMOSFET0.65??600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDP10N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NDP10N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET0.65??600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB10N60FG

N-ChannelIGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NJ10N60

10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ10N60-BL

10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ10N60F-LI

10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NDF10N60ZH

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 600V 10A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NDF10N60ZH供應商 更新時間2025-2-23 23:37:00