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NE3210S01-T1B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3210S01-T1B
廠商型號(hào)

NE3210S01-T1B

參數(shù)屬性

NE3210S01-T1B 封裝/外殼為4-SMD;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 12GHZ S01

功能描述

X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET

封裝外殼

4-SMD

文件大小

62.71 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-1 23:00:00

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NE3210S01-T1B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz

? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm

? Gate Width : Wg = 160 μm

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE3210S01-T1B

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    15mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.35dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMD

  • 描述:

    FET RF 4V 12GHZ S01

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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