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NE350184C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE350184C
廠商型號

NE350184C

參數(shù)屬性

NE350184C 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

封裝外殼

微型-X 陶瓷 84C

文件大小

223.26 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-13 13:00:00

NE350184C規(guī)格書詳情

FEATURES

? Super low noise figure and high associated gain

NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz

? Micro-X ceramic (84C) package

APPLICATIONS

? 20 GHz-band DBS LNB

? Other K-band communication systems

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE350184C

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    20GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.7dB

  • 封裝/外殼:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供應商器件封裝:

    84C

  • 描述:

    FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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