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NE350184C

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

K-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

CEL

California Eastern Labs

NE350184C

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE350184C

Package：微型-X 陶瓷 84C；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

CEL

California Eastern Labs

NE350184C-T1

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

K-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

CEL

California Eastern Labs

NE350184C-T1

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE350184C-T1A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

K-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

CEL

California Eastern Labs

NE350184C-T1A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE350184C-T1-A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE350184C-T1A-A

Marking：A；Package：84C；HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

350184

ExtractionTool2063388-1

TECTE Connectivity Ltd

泰科電子泰科電子有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    NE350184C

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    20GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數：

    0.7dB

  • 封裝/外殼：

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供應商器件封裝：

    84C

  • 描述：

    FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE350184C供應商 更新時間2025-1-18 11:00:00

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