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NE3513M04-T2-A

N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2-A

Package：SOT-343F；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3513M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3513M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3513M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2B-A

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3513M04-T2-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    N 溝道 GaAs HJ-FET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13dB

  • 額定電流（安培）：

    60mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.65dB

  • 功率 - 輸出：

    125mW

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M04

  • 描述：

    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
18+
4SMD
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
NEC
23+
SOT343
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NEC
21+
SOT343
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
NEC
2022
SOT343
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
CEL
2022+
M04
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
NEC
23+
NA/
8583
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
 詢價
CEL
22+
4Super Mini Mold
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
CEL
23+
4Super Mini Mold
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
RENESAS
23+
SOT343
580000
詢價
RENESAS
2016+
PIN4
15000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
更多NE3513M04-T2-A供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 15:14:00

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