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NE3513M04-T2B-A

N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2B-A

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：4-SMD，扁平引線 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3513M04-T2-A

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

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NE3513M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

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California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3513M04-T2B-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    N 溝道 GaAs HJ-FET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13dB

  • 額定電流（安培）：

    60mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.65dB

  • 功率 - 輸出：

    125mW

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    4 個超微型模具

  • 描述：

    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
23+
SOT343
580000
詢價
RENESAS
2016+
PIN4
15000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
RENESAS
23+
SOT343
8560
受權代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
RENESAS
18+
4SMD
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
RENESAS/瑞薩
21+
PIN4
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
PIN4
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
 詢價
RENESAS/瑞薩
21+
SOT-343
10000
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價格優(yōu)
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
SOT343
8160
原廠原裝
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
SOT343
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
RENESAS/瑞薩
21+
SOT343
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
更多NE3513M04-T2B-A供應商 更新時間2025-1-1 14:00:00

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