首頁>熱銷型號第155頁>NE3513M04-T2B-A>詳情

NE3513M04-T2B-A_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-CEL

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE3513M04-T2B-A品牌：CEL

資料說明：FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

NE3513M04-T2B-A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商CEL/California Eastern Labs生產(chǎn)封裝4-SMD，扁平引線的NE3513M04-T2B-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    ne3513m04-t2b-a

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 資料說明：

    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3513M04-T2B-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    N 溝道 GaAs HJ-FET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13dB

  • 額定電流（安培）：

    60mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.65dB

  • 功率 - 輸出：

    125mW

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    4 個超微型模具

  • 描述：

    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
23+
SOT343
580000
詢價
RENESAS
2016+
PIN4
15000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
RENESAS
23+
SOT343
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
RENESAS
18+
4SMD
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
RENESAS/瑞薩
21+
PIN4
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價
RENESAS
22+
SOT343
28600
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
PIN4
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!
 詢價
RENESAS/瑞薩
21+
SOT-343
10000
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價格優(yōu)
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
SOT343
8160
原廠原裝
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
SOT343
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價

相近型號