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PTAB182002TCV2R250XTMA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-英飛凌

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原廠料號：PTAB182002TCV2R250XTMA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

PTAB182002TCV2R250XTMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝H-49248H-4的PTAB182002TCV2R250XTMA1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    ptab182002tcv2r250xtma1

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  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    PTAB182002TCV2R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益：

    14.8dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    29W

  • 封裝/外殼：

    H-49248H-4

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-49248H-4

  • 描述：

    IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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