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PTAB182002TCV2R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAB182002TCV2R250XTMA1

Package：H-49248H-4；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產品屬性

  • 產品編號：

    PTAB182002TCV2R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益：

    14.8dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    29W

  • 封裝/外殼：

    H-49248H-4

  • 供應商器件封裝：

    H-49248H-4

  • 描述：

    IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PTAB182002TCV2R250XTMA1供應商 更新時間2025-3-13 15:34:00

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