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首頁>熱銷型號(hào)第155頁>PTFA181001E V4 T500>詳情

PTFA181001E V4 T500_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-英飛凌

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原廠料號(hào)：PTFA181001E V4 T500品牌：Infineon Technologies

資料說明：IC FET RF LDMOS

PTFA181001E V4 T500是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝2-扁平封裝，葉片引線的PTFA181001E V4 T500晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    ptfa181001e%20v4%20t500

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  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    IC FET RF LDMOS

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PTFA181001E V4 T500

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益：

    16.5dB

  • 功率 - 輸出：

    45W

  • 封裝/外殼：

    2-扁平封裝，葉片引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-36248-2

  • 描述：

    IC FET RF LDMOS

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