首頁(yè)>熱銷型號(hào)第155頁(yè)>NE3513M04-T2-A>詳情

NE3513M04-T2-A_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-CEL

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原廠料號(hào)：NE3513M04-T2-A品牌：CEL

資料說(shuō)明：FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

NE3513M04-T2-A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商CEL/California Eastern Labs生產(chǎn)封裝SOT-343F的NE3513M04-T2-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    ne3513m04-t2-a

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 資料說(shuō)明：

    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NE3513M04-T2-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    N 溝道 GaAs HJ-FET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13dB

  • 額定電流（安培）：

    60mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.65dB

  • 功率 - 輸出：

    125mW

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M04

  • 描述：

    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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