NE3515S02-T1C-A_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-CEL

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原廠料號:NE3515S02-T1C-A品牌:CEL

資料說明:FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

NE3515S02-T1C-A是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商CEL/California Eastern Labs生產(chǎn)封裝4-SMD,扁平引線的NE3515S02-T1C-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    ne3515s02-t1c-a

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  • 企業(yè)簡稱:

    CEL詳情

  • 廠商全稱:

    California Eastern Labs

  • 資料說明:

    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NE3515S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 額定電流(安培):

    88mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.3dB

  • 功率 - 輸出:

    14dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    S02

  • 描述:

    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

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