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NE3515S02-T1C

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C

X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3515S02-T1C-A

X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C-A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1C-A

Package：4-SMD，扁平引線；包裝：托盤 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1D

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-T1D

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3515S02-T1D-A

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) ?Micr

CEL

California Eastern Labs

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NE3515S02-T1C

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE3515S02-T1C供應商 更新時間2025-2-11 16:09:00

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