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NE3515S02-T1D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3515S02-T1D
廠商型號

NE3515S02-T1D
參數(shù)屬性

NE3515S02-T1D 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
封裝外殼

4-SMD，扁平引線
文件大小

415.03 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-1-31 23:00:00

NE3515S02-T1D規(guī)格書詳情

NE3515S02-T1D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3515S02-T1D晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

FEATURES

? Super low noise figure, high associated gain and middle output power

NF = 0.3 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 2 V, ID = 10 mA

PO (1dB) = +14 dBm TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 3 V, ID = 25 mA set (Non-RF)

? Micro-X plastic (S02) package

APPLICATIONS

? X to Ku-band local buffer amplifier, PA driver amplifier, low noise amplifier, mixer

? DBS LNB, VSAT

? Other X to Ku-band communication systems

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NE3515S02-T1D-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 額定電流（安培）：

    88mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.3dB

  • 功率 - 輸出：

    14dBm

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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